מספר מוצר של יצרן:
STW12N120K5
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW12N120K5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
8 יחידות חדשות מק originales במלאי
12880741
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
4jXj
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW12N120K5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ K5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
690mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1370 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-15446-5
5060-STW12N120K5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STWA12N120K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
6
DiGi מספר חלק
STWA12N120K5-DG
מחיר ליחידה
7.21
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STL5N80K5
MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
STI400N4F6
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
STD80N6F6
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
