מספר מוצר של יצרן:
STW10NK60Z
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW10NK60Z-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
425 יחידות חדשות מק originales במלאי
12877046
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW10NK60Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
SuperMESH™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
70 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1370 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
156W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-3253-5
497-3253-5-NDR
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STL57N65M5
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
STF6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
