מספר מוצר של יצרן:
STU7N65M6
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STU7N65M6-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
מלאי:
12876364
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STU7N65M6 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
990mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.75V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
220 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
STU7N65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STLD200N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
STW48NM60N
MOSFET N-CH 600V 44A TO247
STP11N65M5
MOSFET N-CH 650V 9A TO220