מספר מוצר של יצרן:
STU7N105K5
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STU7N105K5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 1050 V 4A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
מלאי:
12874660
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STU7N105K5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
SuperMESH5™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1050 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
380 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
IPAK (TO-251)
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
STU7N105
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-1138-STU7N105K5
497-15249-5
-497-15249-5-DG
-497-15249-5
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
STFW45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
BUK9C2R2-60EJ
MOSFET N-CH 60V D2PAK-7
