מספר מוצר של יצרן:
STU2NK100Z
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STU2NK100Z-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
מלאי:
3000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12878882
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STU2NK100Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
SuperMESH™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.85A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.5Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
499 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
70W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
STU2NK100
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-12694-5
-497-12694-5
STU2NK100Z-DG
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW30N20
MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
STU10P6F6
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
STB46N30M5
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
