מספר מוצר של יצרן:
STU16N65M5
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STU16N65M5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
מלאי:
5 יחידות חדשות מק originales במלאי
12874795
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STU16N65M5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ V
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
299mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1250 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
90W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251 (IPAK)
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
STU16N
מידע נוסף
שמות אחרים
STU16N65M5-DG
-497-11402-5
497-11402-5
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF5N62K3
MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP
STW34NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
IRF640
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB