מספר מוצר של יצרן:
STU11N65M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STU11N65M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
מלאי:
814 יחידות חדשות מק originales במלאי
12945742
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STU11N65M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ II Plus
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
670mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
410 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
85W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251 (IPAK)
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
STU11
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-15043-5
497-15043-5
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STY140NS10
MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
STK820
MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK
STW13NM50N
MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3
