מספר מוצר של יצרן:
STS5DP3LLH6
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STS5DP3LLH6-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 5A (Ta) 2.7W Surface Mount 8-SO
מלאי:
12878959
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STS5DP3LLH6 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
DeepGATE™, STripFET™ H6
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
56mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
639pF @ 25V
הספק - מקס'
2.7W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
מספר מוצר בסיסי
STS5D
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-STS5DP3LLH6
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STS8C5H30L
MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
STS3DNE60L
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
STS10DN3LH5
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC