מספר מוצר של יצרן:
STS1NK60Z
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STS1NK60Z-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 250mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
2112 יחידות חדשות מק originales במלאי
12872990
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STS1NK60Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SuperMESH™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
250mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
94 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
STS1NK60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
STS1NK60Z-DG
497-12798-1
497-12798-2
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STL12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
STW7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3
2N7002E-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
