STQ2NK60ZR-AP

מספר מוצר של יצרן:

STQ2NK60ZR-AP

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STQ2NK60ZR-AP-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3

תיאור מפורט:

N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12880642

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

STQ2NK60ZR-AP מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

STMicroelectronics

אריזות

-

סדרה

SuperMESH™

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

600 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

400mA (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

8Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 50µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

10 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

170 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-92-3

חבילה / מארז

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

מספר מוצר בסיסי

STQ2

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

STQ2NK60ZRAP

497-12345-3

497-12345-1

חבילה סטנדרטית

2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

STQ2HNK60ZR-AP

יצרן

STMicroelectronics

כמות זמינה

9835

DiGi מספר חלק

STQ2HNK60ZR-AP-DG

מחיר ליחידה

0.28

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

stmicroelectronics

STFI13N80K5

MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP

stmicroelectronics

STE139N65M5

MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP

stmicroelectronics

STF40NF06

MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP

stmicroelectronics

STW47NM60ND

MOSFET N-CH 600V 35A TO247