מספר מוצר של יצרן:
STP9NK65Z
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP9NK65Z-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 6.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12870519
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP9NK65Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
SuperMESH™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1145 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP9NK65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFB9N65APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
912
DiGi מספר חלק
IRFB9N65APBF-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCP4N60
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
1335
DiGi מספר חלק
FCP4N60-DG
מחיר ליחידה
1.02
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFP10N80P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
242
DiGi מספר חלק
IXFP10N80P-DG
מחיר ליחידה
2.72
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STH320N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
STL130N6F7
MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
STH140N8F7-2
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
