מספר מוצר של יצרן:
STP9N65M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP9N65M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
963 יחידות חדשות מק originales במלאי
12874582
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP9N65M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
315 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP9N65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-15042-5
-497-15042-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STU11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
STY100NM60N
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
STB14NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
