מספר מוצר של יצרן:
STP80N600K6
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP80N600K6-DG
תיאור:
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
44 יחידות חדשות מק originales במלאי
13000717
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP80N600K6 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
540 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
86W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP80
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-STP80N600K6
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STWA65N023M9
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
DMT3006LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMTH6002LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506