מספר מוצר של יצרן:
STP35N60DM2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP35N60DM2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 28A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12873706
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP35N60DM2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ DM2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
110mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
54 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2400 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
210W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP35
מידע נוסף
שמות אחרים
5060-STP35N60DM2
497-16359-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCP099N60E
יצרן
onsemi
כמות זמינה
390
DiGi מספר חלק
FCP099N60E-DG
מחיר ליחידה
2.76
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCP125N60E
יצרן
onsemi
כמות זמינה
253
DiGi מספר חלק
FCP125N60E-DG
מחיר ליחידה
2.44
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6035VNX3C16
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
925
DiGi מספר חלק
R6035VNX3C16-DG
מחיר ליחידה
3.19
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCP110N65F
יצרן
onsemi
כמות זמינה
800
DiGi מספר חלק
FCP110N65F-DG
מחיר ליחידה
3.02
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW35N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
27
DiGi מספר חלק
STW35N60DM2-DG
מחיר ליחידה
3.21
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF12NM50ND
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
STP160N3LL
MOSFET N-CH 30V 120A TO220
STW12NK95Z
MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
