מספר מוצר של יצרן:
STP33N65M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP33N65M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
712 יחידות חדשות מק originales במלאי
12877161
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP33N65M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
140mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1790 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
190W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP33
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-15560-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP190N55LF3
MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
STB76NF75
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
STF11N65K3
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
