מספר מוצר של יצרן:
STP33N60M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP33N60M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
727 יחידות חדשות מק originales במלאי
12875644
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP33N60M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ II Plus
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1781 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
190W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP33
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-14221-5
STP33N60M2-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW28NM50N
MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
STD30NF04LT
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
STP7N90K5
MOSFET N-CH 900V 7A TO220