מספר מוצר של יצרן:
STP25NM60ND
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP25NM60ND-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12879899
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP25NM60ND מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
FDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2400 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
160W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP25N
מידע נוסף
שמות אחרים
497-8446-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK17E65W,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
12
DiGi מספר חלק
TK17E65W,S1X-DG
מחיר ליחידה
1.35
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXKC20N60C
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXKC20N60C-DG
מחיר ליחידה
9.07
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP65R190C7FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
499
DiGi מספר חלק
IPP65R190C7FKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.23
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TPH3206PD
יצרן
Transphorm
כמות זמינה
68
DiGi מספר חלק
TPH3206PD-DG
מחיר ליחידה
5.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCP22N60N
יצרן
onsemi
כמות זמינה
157
DiGi מספר חלק
FCP22N60N-DG
מחיר ליחידה
3.01
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW48N60M6
MOSFET N-CH 600V 39A TO247
STFV3N150
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220-3
STD25NF10T4
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
