מספר מוצר של יצרן:
STP19NM65N
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP19NM65N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12871622
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP19NM65N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
55 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1900 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP19N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-7025-5
497-7025-5
1026-STP19NM65N
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPP60R299CPXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPP60R299CPXKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.25
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP42N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
912
DiGi מספר חלק
STP42N65M5-DG
מחיר ליחידה
5.58
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP65R225C7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPP65R225C7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.13
סוג משאב
Similar
מספר חלק
AOT15S65L
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
227
DiGi מספר חלק
AOT15S65L-DG
מחיר ליחידה
1.75
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW35N65M5
MOSFET N-CH 650V 27A TO247-3
STP11NM60
MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
STD2NC45-1
MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK
