מספר מוצר של יצרן:
STP16N65M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP16N65M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12878204
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP16N65M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
718 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP16
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-15275-5
497-15275-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK14E65W5,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
15
DiGi מספר חלק
TK14E65W5,S1X-DG
מחיר ליחידה
1.26
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFP12N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
290
DiGi מספר חלק
IXFP12N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.73
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCP380N60E
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
25616
DiGi מספר חלק
FCP380N60E-DG
מחיר ליחידה
1.30
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCP380N60
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FCP380N60-DG
מחיר ליחידה
1.20
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK10E60W,S1VX
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
30
DiGi מספר חלק
TK10E60W,S1VX-DG
מחיר ליחידה
1.31
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB21NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
STF14N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
STW33N60M6
MOSFET N-CH 600V TO247
