STP15N60M2-EP
מספר מוצר של יצרן:

STP15N60M2-EP

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STP15N60M2-EP-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 11A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

מלאי:

334 יחידות חדשות מק originales במלאי
12875072
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STP15N60M2-EP מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2-EP
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
378mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
590 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP15

מידע נוסף

שמות אחרים
497-15891-5
-1138-STP15N60M2-EP
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
stmicroelectronics

STP3NK90Z

MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB

stmicroelectronics

STW26NM60N

N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ.,

stmicroelectronics

STF24N60M6

MOSFET N-CH 600V TO220FP

stmicroelectronics

STP10LN80K5

MOSFET N-CH 800V 8A TO220