מספר מוצר של יצרן:
STP11NM60A
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP11NM60A-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12873739
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP11NM60A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
49 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1211 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP11N
מידע נוסף
שמות אחרים
497-4368-5
-497-4368-5
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPP11N80C3XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
6913
DiGi מספר חלק
SPP11N80C3XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTP8N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTP8N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.40
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCP11N60F
יצרן
onsemi
כמות זמינה
996
DiGi מספר חלק
FCP11N60F-DG
מחיר ליחידה
1.38
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP9NK70Z
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220AB
STD3NM60-1
MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
STQ2LN60K3-AP
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
