מספר מוצר של יצרן:
STL45N65M5
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STL45N65M5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 3.8A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount PowerFLAT™ (8x8)
מלאי:
2 יחידות חדשות מק originales במלאי
12877184
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STL45N65M5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™ V
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.8A (Ta), 22.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
86mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
82 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3470 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 160W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerFLAT™ (8x8)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
STL45
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-13776-6
-1138-STL45N65M5CT
-1138-STL45N65M5TR
-1138-STL45N65M5DKR
497-13776-1
497-13776-2
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB6NM60N
MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
STP22N60DM6
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
STP8N80K5
MOSFET N CH 800V 6A TO220
