מספר מוצר של יצרן:
STL33N60M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STL33N60M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 22A PWRFLAT HV
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
מלאי:
12880448
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STL33N60M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™ II Plus
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
135mOhm @ 10.75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1700 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
190W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerFlat™ (8x8) HV
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
STL33
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-14969-6
497-14969-2
497-14969-1
497-14969-6
-497-14969-2
-497-14969-1
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB21NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
STWA50N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 38A TO247
STB6NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
