מספר מוצר של יצרן:
STL20NM20N
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STL20NM20N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 20A POWERFLAT
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 20A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
מלאי:
12880405
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STL20NM20N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
105mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
50 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
80W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerFlat™ (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
STL20
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-4657-1
-497-4657-2
497-4657-6
497-4657-2
497-4657-1
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSC12DN20NS3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
11979
DiGi מספר חלק
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.52
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STL6NM60N
MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
STD15NF10T4
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
STF16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
