מספר מוצר של יצרן:
STL180N6F7
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STL180N6F7-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 32A (Ta), 120A (Tc) 4.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
מלאי:
12872416
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STL180N6F7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
STripFET™ F7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Ta), 120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
79.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4825 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
4.8W (Ta), 166W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerFlat™ (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
STL180
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-19060-1
497-19060-2
497-19060-6
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TPH2R306NH,L1Q
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
2815
DiGi מספר חלק
TPH2R306NH,L1Q-DG
מחיר ליחידה
0.66
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SCT10N120H
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STD7N60DM2
MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
STD5NM60-1
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
