STL100N8F7

מספר מוצר של יצרן:

STL100N8F7

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STL100N8F7-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT

תיאור מפורט:

N-Channel 80 V 100A (Tc) 4.8W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12879037

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

STL100N8F7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

STMicroelectronics

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

STripFET™

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

80 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

100A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

6.1mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

46.8 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

3435 pF @ 40 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

4.8W (Ta), 120W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

PowerFlat™ (5x6)

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

STL100

דף נתונים ומסמכים

משאבי עיצוב

STL100N8F7 PSpice Model

גליונות נתונים

STL100N8F7 Datasheet Spice Model Tutorial for Power MOSFETS

מידע נוסף

שמות אחרים

497-16502-2

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

stmicroelectronics

STU2LN60K3

MOSFET N CH 600V 2A IPAK

stmicroelectronics

STD6NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK

stmicroelectronics

STL31N65M5

MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88

stmicroelectronics

STD110N8F6

MOSFET N-CH 80V 80A DPAK