מספר מוצר של יצרן:
STI6N90K5
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STI6N90K5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
מלאי:
125 יחידות חדשות מק originales במלאי
12880934
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STI6N90K5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ K5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
VGS (מקס')
±30V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I2PAK
חבילה / מארז
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
מספר מוצר בסיסי
STI6
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-17075
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB9NK60ZDT4
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
STE48NM50
MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
STH275N8F7-6AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
