מספר מוצר של יצרן:
STI57N65M5
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STI57N65M5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 42A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
מלאי:
12876031
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STI57N65M5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™ V
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
42A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
63mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
98 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4200 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
STI57N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-13107-5
497-13107-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW58N65DM2AG
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STW58N65DM2AG-DG
מחיר ליחידה
7.29
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STL160N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
STFU28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
STP14NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220FP
