מספר מוצר של יצרן:
STI45N10F7
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STI45N10F7-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 45A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
מלאי:
630 יחידות חדשות מק originales במלאי
12873081
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STI45N10F7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
DeepGATE™, STripFET™ VII
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
45A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1640 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
STI45N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-14567-5
STI45N10F7-DG
497-14567-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB47N50DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V
STP200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
STP20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
