מספר מוצר של יצרן:
STI33N65M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STI33N65M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK
מלאי:
9000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12879664
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STI33N65M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
140mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1790 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
190W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I2PAK
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
STI33
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-15551-5-DG
497-15551-5
-497-15551-5
497-STI33N65M2
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF8NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
STB21N90K5
MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
STI90N4F3
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
