מספר מוצר של יצרן:
STH30N65DM6-7AG
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STH30N65DM6-7AG-DG
תיאור:
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
מלאי:
235 יחידות חדשות מק originales במלאי
12993145
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STH30N65DM6-7AG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™ DM2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
115mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.75V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
46 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2000 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
223W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
H2PAK-7
חבילה / מארז
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-STH30N65DM6-7AGCT
497-STH30N65DM6-7AGDKR
497-STH30N65DM6-7AGTR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR578DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
SI8810-TP
Interface
2N7002-13P
Interface
