מספר מוצר של יצרן:
STH13N120K5-2AG
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STH13N120K5-2AG-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
מלאי:
3880 יחידות חדשות מק originales במלאי
13140523
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STH13N120K5-2AG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
690mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1370 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
H2PAK-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STH13
מידע נוסף
שמות אחרים
497-STH13N120K5-2AGDKR
497-STH13N120K5-2AGCT
497-STH13N120K5-2AGTR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA26P20P-TRL
MOSFET P-CH 200V 26A TO263
IXTA180N10T-TRL
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
IXTY08N50D2-TRL
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA