STH110N7F6-2
מספר מוצר של יצרן:

STH110N7F6-2

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STH110N7F6-2-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
תיאור מפורט:
N-Channel 68 V 80A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount H2PAK-2

מלאי:

12948099
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STH110N7F6-2 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
STripFET™ F6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
68 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.3mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
100 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5850 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
176W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
H2PAK-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STH110

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

IRFIB8N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3

onsemi

NTP011N15MC

MOSFET N-CH 150V 9.8/74.3A TO220

onsemi

FDBL9406-F085T6

MOSFET N-CH 40V 45A/240A 8HPSOF

onsemi

NVH4L040N65S3F

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4