מספר מוצר של יצרן:
STFU6N65
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STFU6N65-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 620mW (Ta), 77W (Tc) Through Hole TO-220FP
מלאי:
982 יחידות חדשות מק originales במלאי
12878183
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
9dSv
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STFU6N65 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
463 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
620mW (Ta), 77W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TA)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
STFU6
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-16968
497-16968
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF6N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
300
DiGi מספר חלק
STF6N65M2-DG
מחיר ליחידה
0.54
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SCT10N120
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK