STFU18N65M2
מספר מוצר של יצרן:

STFU18N65M2

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STFU18N65M2-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

מלאי:

925 יחידות חדשות מק originales במלאי
12879442
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STFU18N65M2 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
330mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
770 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
STFU18

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
497-16306-5
-497-16306-5
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
stmicroelectronics

STL25N15F4

MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT

stmicroelectronics

STU9HN65M2

MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

stmicroelectronics

STD12N65M5

MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK

stmicroelectronics

STL12N10F7

MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT