מספר מוצר של יצרן:
STFI9N60M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STFI9N60M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAKFP
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
מלאי:
12872726
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STFI9N60M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™ II Plus
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
780mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
320 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
20W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-281 (I2PAKFP)
חבילה / מארז
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
מספר מוצר בסיסי
STFI9
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STFW1N105K3
MOSFET N-CH 1050V 1.4A ISOWATT
STFI13N65M2
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
STL150N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 150A POWERFLAT
