מספר מוצר של יצרן:
STFI15NM65N
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STFI15NM65N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAKFP
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
מלאי:
347 יחידות חדשות מק originales במלאי
12877351
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STFI15NM65N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
983 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-281 (I2PAKFP)
חבילה / מארז
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
מספר מוצר בסיסי
STFI15N
מידע נוסף
שמות אחרים
STFI15NM65N-DG
-1138-STFI15NM65N
497-13951-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF15NM65N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1088
DiGi מספר חלק
STF15NM65N-DG
מחיר ליחידה
2.07
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP130N6F7
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
STD15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STD30NE06L
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
