מספר מוצר של יצרן:
STFI10N62K3
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STFI10N62K3-DG
תיאור:
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
תיאור מפורט:
N-Channel 620 V 8.4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
מלאי:
1495 יחידות חדשות מק originales במלאי
12875137
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STFI10N62K3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
SuperMESH3™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
620 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1250 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-281 (I2PAKFP)
חבילה / מארז
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
מספר מוצר בסיסי
STFI10N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-13389-5
497-13389-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF9N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1988
DiGi מספר חלק
STF9N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.53
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF10N105K5
MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
STB35N60DM2
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
STP10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
