STF9NM60N
מספר מוצר של יצרן:

STF9NM60N

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STF9NM60N-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 6.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

מלאי:

1359 יחידות חדשות מק originales במלאי
12875377
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STF9NM60N מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
745mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
452 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
STF9NM60

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
-497-12591-5
497-12591-5
STF9NM60N-DG
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
stmicroelectronics

STP15NM60N

MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB

stmicroelectronics

STD4N80K5

MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

stmicroelectronics

STB24NM60N

MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

stmicroelectronics

STE88N65M5

MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP