מספר מוצר של יצרן:
STF18N65DM2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STF18N65DM2-DG
תיאור:
DISCRETE
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220FP
מלאי:
12995323
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STF18N65DM2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
295mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
965 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
STF18
מידע נוסף
שמות אחרים
497-STF18N65DM2
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
WNSCM80120WQ
WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK
WNSC2M1K0170WQ
WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
SGT120R65AL
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD