מספר מוצר של יצרן:
STD4NK60Z-1
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STD4NK60Z-1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
מלאי:
35 יחידות חדשות מק originales במלאי
12878398
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STD4NK60Z-1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
SuperMESH™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
510 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
70W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
STD4NK60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-19650
STD4NK60Z-1-DG
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
STP31N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
STB200NF04-1
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
