מספר מוצר של יצרן:
STD3NM60N
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STD3NM60N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 3.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
מלאי:
12877407
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STD3NM60N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.8Ohm @ 1.65A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
188 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
STD3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-13089-6
-497-13089-1
-497-13089-2
497-13089-1
497-13089-2
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPD03N60C3ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
27364
DiGi מספר חלק
SPD03N60C3ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.54
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP11NM60FP
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STP4N52K3
MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
STF20N90K5
MOSFET N-CH 900V 20A TO220FP