מספר מוצר של יצרן:
STB5NK52ZD-1
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB5NK52ZD-1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 520 V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
מלאי:
12876070
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB5NK52ZD-1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
SuperMESH™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
520 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
529 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
70W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I2PAK
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
STB5N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-5952-5
1805-STB5NK52ZD-1
497-5952-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF830ALPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRF830ALPBF-DG
מחיר ליחידה
0.89
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP5NK52ZD
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1348
DiGi מספר חלק
STP5NK52ZD-DG
מחיר ליחידה
0.85
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STFW6N120K3
MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
STP60NE06L-16
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
STL3NM60N
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
