מספר מוצר של יצרן:
STB21NM50N
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB21NM50N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
12875621
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB21NM50N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
65 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1950 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
140W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB21N
מידע נוסף
שמות אחרים
1026-STB21NM50N
497-5783-6
STB21NM50N-DG
497-5783-1
497-5783-2
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPB21N50C3ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2928
DiGi מספר חלק
SPB21N50C3ATMA1-DG
מחיר ליחידה
2.00
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPB50R140CPATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPB50R140CPATMA1-DG
מחיר ליחידה
2.27
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPB50R199CPATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPB50R199CPATMA1-DG
מחיר ליחידה
1.45
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BUK654R0-75C,127
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
STD10N60DM2
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
STD95NH02LT4
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
