מספר מוצר של יצרן:
STB20N60M2-EP
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB20N60M2-EP-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12879265
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB20N60M2-EP מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™ M2-EP
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.75V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 10 V
VGS (מקס')
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB20
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP9NK50ZFP
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220FP
STFI12N60M2
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP
STF25N10F7
MOSFET N-CH 100V 19A TO220FP
