מספר מוצר של יצרן:
STB18N60DM2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB18N60DM2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
2125 יחידות חדשות מק originales במלאי
12878795
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB18N60DM2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™ DM2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
295mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
800 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
90W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB18
מידע נוסף
שמות אחרים
497-16339-6
497-16339-1
497-16339-2
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STU8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
STD18NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STW21N150K5
MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
