מספר מוצר של יצרן:
STB18N55M5
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB18N55M5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12879807
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB18N55M5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™ V
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
550 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
192mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
31 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1260 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB18N
מידע נוסף
שמות אחרים
497-11227-5-DG
497-11227-5
497-11227-1
497-11227-2
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPB21N50C3ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2928
DiGi מספר חלק
SPB21N50C3ATMA1-DG
מחיר ליחידה
2.00
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPB50R199CPATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPB50R199CPATMA1-DG
מחיר ליחידה
1.45
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STB18N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
916
DiGi מספר חלק
STB18N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.09
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTA460P2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
36
DiGi מספר חלק
IXTA460P2-DG
מחיר ליחידה
4.29
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB80NF03L-04T4
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
PMPB16XN,115
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
STH250N55F3-6
MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK
