מספר מוצר של יצרן:
STB155N3H6
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB155N3H6-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12870361
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB155N3H6 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
DeepGATE™, STripFET™ VI
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
62 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3650 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB155N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-11322-1
497-11322-2
497-11322-5-DG
497-11322-5
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRL7833STRLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3883
DiGi מספר חלק
IRL7833STRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.88
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PSMN3R4-30BLE,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
3903
DiGi מספר חלק
PSMN3R4-30BLE,118-DG
מחיר ליחידה
0.88
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PSMN3R4-30BL,118
יצרן
NXP USA Inc.
כמות זמינה
900
DiGi מספר חלק
PSMN3R4-30BL,118-DG
מחיר ליחידה
0.57
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PSMN2R7-30BL,118
יצרן
NXP USA Inc.
כמות זמינה
1450
DiGi מספר חלק
PSMN2R7-30BL,118-DG
מחיר ליחידה
0.73
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP6NK70Z
MOSFET N-CH 700V 5A TO220AB
TP0610K-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
BUK7619-100B,118
MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK
