מספר מוצר של יצרן:
STB13NM50N-1
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB13NM50N-1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 100W (Tc) Through Hole I2PAK
מלאי:
12879908
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB13NM50N-1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
320mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
960 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I2PAK
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
STB13N
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP14NM50N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
892
DiGi מספר חלק
STP14NM50N-DG
מחיר ליחידה
1.69
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP80NE06-10
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
STD110NH02LT4
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
SCTWA20N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
