מספר מוצר של יצרן:
STB12NM50ND
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB12NM50ND-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12872548
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB12NM50ND מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
FDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
850 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB12N
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-10026-6
497-10026-2
497-10026-1
-497-10026-2
-497-10026-1
497-10026-6
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDB12N50TM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1
DiGi מספר חלק
FDB12N50TM-DG
מחיר ליחידה
0.91
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTA16N50P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTA16N50P-DG
מחיר ליחידה
2.83
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFA16N50P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFA16N50P3-DG
מחיר ליחידה
3.20
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFA20N50P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFA20N50P3-DG
מחיר ליחידה
2.82
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FDB15N50
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FDB15N50-DG
מחיר ליחידה
1.65
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STY105NM50N
MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
STP14NM50N
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
STB155N3LH6
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
